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得益于对电、州市机械、州市热和光场的敏感响应,铁电材料已被广泛应用在各种电子设备,例如变容二极管和存储器,换能器和晶体管,红外探测器,微波相位滤波器,压电微传感器和微电机,非线性光学器件,和电容器等。场电4.2铁电离子导体CuInP2S6图7.a)不同厚度的CIPS薄片的AFM图像。
格行e)面内压缩应变(a/a0 =1.0,0.95)在布里渊区的平面上引起费米表面变化。b)MAPbI3 的sMIM(dC/dV)幅度(左)和相位(右)图像,江杭显示正域内信号的增加和减少。州市c)在-7V和+6V电压下连续采集的6nm厚In2Se3 薄片的平面外(OOP)和平面内(IP)PFM相位图像。
对于单相铁电体来说,场电由于束缚电荷的不完全补偿,均匀极化通常会导致样品表面产生净带电效应。格行g)Na0.5Bi0.5TiO2.965 与不同化学掺杂在400∼ 700°C范围内的离子电导率比较。
江杭在异质界面处八面体的旋转模式调控和单相材料中氧空位排序引起的多面体畸变同样可以导致铁电性的出现。
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对于不对称的BO-5Cl和BO-6Cl基OSCs,格行带隙增大,Voc急剧增大,分别达到0.958和0.944V,效率在15%~16%之间。首先分析了BO-4F、江杭BO-4Cl和BO-5Cl单晶的分子堆积特性。
州市这些分子代表了目前Y系列NFAs性能的最新发展。场电相关论文以题为Asymmetricelectronacceptorenableshighlyluminescentorganicsolarcellswithcertifiedefficiencyover18%发表在NatureCommunications上。
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